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32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF3201B / SST39VF3202B
Data Sheet
AC CHARACTERISTICS
TABLE 14: Read Cycle Timing Parameters V DD = 2.7-3.6V
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
T CLZ1
T OLZ1
T CHZ1
T OHZ1
T OH1
T RP1
T RHR1
T RY1,2
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
RST# Pulse Width
RST# High before Read
RST# Pin Low to Read Mode
70
0
0
0
500
50
70
70
35
16
16
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
T14.0 1384
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
TABLE 15: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
0
30
0
0
0
10
40
40
10
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T WPH
1
WE# Pulse Width High
30
ns
T CPH1
T DS
T DH1
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
30
30
0
ns
ns
ns
T IDA
1
Software ID Access and Exit Time
150
ns
T SE
T BE
T SCE
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
25
25
50
ms
ms
ms
T15.0 1384
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
?2009 Silicon Storage Technology, Inc.
13
S71384-01-000
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